گروهي از محققان آلماني و آمريکايي به روش جديدي براي توليد مدارهاي مجتمع نانوسيمي فوتونيکي و الکترونيکي دست يافتند و اميدوارند در آينده بتوانند اين روش را به توليد انبوه برسانند.

اگرچه توليد انبوه نانوسيم‌هاي رسانا آسان و ارزان است، مشکل عمده، چگونگي قرار دادن آنها در مدارهاي الکتريکي است. براي رفع اين مشکل اين محققان از روش‌هاي مرسوم توليد مدارهاي مجتمع سيليکوني و ليتوگرافي نوري استفاده کرده، الگوي مورد نظر خود را ايجاد كردند. با توجه به آنکه اين روش به ترتيب هندسي قرار گرفتن نانوسيم‌ها روي مادة پايه بستگي ندارد، مي‌توان از آن علاوه بر روش‌هاي ديگر نيز استفاده نموده، مدارهاي فوتونيکي را به شيوه‌اي استاندارد ساخت.

دستگاه‌هاي نانوسيمي اين محققان داراي ساختاري ساندويچي است و نانوسيم‌ها بين دو لاية بسيار رسانا ـ که دو اتصال فلزي بالا و پايين دستگاه را تشکيل مي‌دهند ـ قرار داده مي‌شوند. استفاده از اين روش مانع از اتصال کوتاه مدارها شده، جريان يکنواختي را در آنها ايجاد مي‌کند. با توجه به آنکه اين نانوسيم‌ها از مواد مورد استفاده در الکترونيک و فوتونيک ساخته مي‌شوند، استفاده از آنها در ديودهاي نشر نور و مدارهاي مجتمع سيليکوني امکان‌پذير است و تاکنون صدها ديود نشر نور فرابنفش به اين شيوه ساخته شده‌است.

اين دانشمندان اميدوارند توسعة اين روش منجر به ساخت نانوسيم‌هايي براي تمام انواع ويفرهاي الکترونيکي شود که در آن صورت دستة کاملاً جديدي از مدارهاي مجتمع و اتصالات نوري داخلي پديد مي‌آيد؛ و مثلاً مي‌توان از آن در ساخت حسگرهاي روي تراشه استفاده كرد.

گفتني است اين تحقيق ـ که در مرحلة اخذ گواهي ثبت اختراع است ـ با حمايت مالي بنياد ملي علوم و بنياد تحقيقات آلمان انجام شده‌است و نتايج آن در نشرية Nano Letters به چاپ رسيده‌است.